リミッタ−回路・ゲルマニウムダイオードによる
ウィーンブリッジ発振回路の実験





シリコンダイオードで行った実験を、
ゲルマニウムダイオードに
置き換えて実験してみました。
同じようにできるのか確かめていきます。



R3:ダイオードだけの回路







実験回路図

実体配線図
R4の固定抵抗を1kΩを変更しました。
R4のVR10kΩを増減してゲインを調整すると、振幅は±50mVで小さいすが、写真のようになかなか綺麗な波形です

更にR4のVR10kΩを増減してゲインを調整していき、振幅を±0.2Vまで上げると、写真のように波形が崩れてしまいました。

R3:ダイオードと抵抗、並列回路







実験回路図

実体配線図
ダイオードに並列に抵抗を入れてみました。

R4を増してゲインを調整していくと、±0.1V以下ではの写真のように綺麗な波形です。

R4を増して、±0.1Vを超えるあたりから、波形が鈍ってきて、写真のように、±0.22Vのと方形波と正弦波の間のような波形が出ています。
R3:ダイオードと抵抗、直列回路








実験回路図
実体配線図
今度は、ダイオードに直列に抵抗を入れてみました。

R4の固定抵抗が1kΩだと、増幅度が大き過ぎて波形がクリップしてしまうので、R4の値が調整範囲に入るように10kΩに変更しました。

R4のVR10kΩを増減してゲインを調整すると、振幅しはじめてから、クリップするまで、写真のように綺麗な波形です

ダイオードの順方向電圧が感じられません。


R4の調整範囲は11kー14Ωを広くとれます。

ゲルマニウムダイオードにも順方向電圧がありますが、シリコンダイオードほど高くないので、目立たないようです。

R3:ダイオードと抵抗、直列・並列回路








実験回路図
実体配線図

今度は、ダイオードに直列・並列に抵抗を入れてみました。

R4の固定抵抗は1kΩに戻しました。
この回路も発振から波形がクリップするまで、綺麗な波形が出ました。
R4の調整範囲は5.2k−7.2kΩでした。


R3:ダイオードと抵抗、直列・並列回路にさらにダイオードに直列に抵抗を入れた回路








実験回路図
実体配線図
R3−3の値の範囲を0Ω−100kΩで変化させても見た目に大きく崩れることはありません。



R3−3
0Ω  :R4の調整範囲は5.2k−7.2k

10kΩ:R4の調整範囲は7.5k−8.1k

100kΩ:R4の調整範囲は9.36k−9.37k

R3:ダイオードと抵抗、直列・並列回路にさらにダイオードに直列に抵抗を入れた回路
x2








実験回路図
実体配線図
効果があるかどうかわかりませんが、前の回路を2段にしてみました。


R3−3は、固定抵抗の10kΩにしました。

R4の調整範囲は7.48k−8.04kになりました。